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此外，石墨石墨时代电子结构的(弱)修饰会导致a轴和b轴电阻率相反的各向异性，即ρbρa。因此，烯任烯应变的作用之一是增加少纳米厚薄膜的正交性。

事实上，正非一旦考虑到孪生，实际的CDW信号在a轴方向上就可以忽略不计了。覆硅图2E所示类型的费米面可能是系统中强电子向列相的结果。解码图2B所示为掺杂p与图2A相当的MgO(与50nm厚膜相同沉积条件下生长)上10nm厚膜图案的两种器件的相似数据。

如前所预料的那样，石墨石墨时代对于p≈0.14，已经完全恢复了奇异金属行为：T线性依赖关系一直延伸到整个温度范围，直到超导转变。烯任烯(iii)沿b轴的电阻率ρb(T)具有更宽的线性温度范围。

当YBCO厚度减小到几个单胞(t=10nm)时，正非MgO上生长的薄膜表现为b轴的伸长和c轴的收缩，而单胞的总体积相对于弛豫体系没有变化。

因此，覆硅本工作得出了一个重要结论：MgO衬底上欠掺杂10nm厚YBCO薄膜中的一个比应变诱导了一个已经在室温下修饰费米面的向列相态。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，解码投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

石墨石墨时代（b）比较硫氧化和硫还原与已报道材料的电压。通过原位同步辐射分析、烯任烯高分辨率显微图像、光谱分析和理论计算，很好的证实反应途径、AlSCl7氧化产物和SCl3+中间体。

正非文献链接：Reversibleelectrochemicaloxidationofsulfurinionicliquidforhigh-voltageAl-Sbatteries.NatureCommunications,2021,DOI:10.1038/s41467-021-26056-7.本文由CQR编译。由于硫的惰性，覆硅需要施加高压来驱动其电化学氧化。